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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售产品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和国国(g海南是什么气候类型特点，海南是什么气候类型区uó)家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络(luò)安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实(shí)施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ海南是什么气候类型特点，海南是什么气候类型区)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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