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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务进入(r湖南电大几本，湖南长沙电大是几本ù)中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分(湖南电大几本，湖南长沙电大是几本fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(m湖南电大几本，湖南长沙电大是几本ù)前前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单(dān)，设备国(guó)产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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