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　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品网络(luò)安全(quán)问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(w广西属于哪个省份，广西属于哪个省哪个市哪个区ǎng)信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应(广西属于哪个省份，广西属于哪个省哪个市哪个区yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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