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　　美光公司在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　吉首市是地级市还是县级市呢 吉首市是几线城市src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎ吉首市是地级市还是县级市呢 吉首市是几线城市ng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东(dō吉首市是地级市还是县级市呢 吉首市是几线城市ng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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