大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)安(ān)全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是吉首市是地级市还是县级市呢 吉首市是几线城市(shì)全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高(吉首市是地级市还是县级市呢 吉首市是几线城市gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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