大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，<竹荪煮多久strong>我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关(guā竹荪煮多久n)键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示(竹荪煮多久shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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