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　　美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安(ān)全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(过生日小寿星一般指几岁,十八岁可以叫小寿星吗，18岁生日可以叫小寿星吗rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Fl过生日小寿星一般指几岁,十八岁可以叫小寿星吗，18岁生日可以叫小寿星吗ash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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