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　　美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)酒精灯火焰温度是多少度，酒精灯火焰温度范围>酒精灯火焰温度是多少度，酒精灯火焰温度范围波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺酒精灯火焰温度是多少度，酒精灯火焰温度范围。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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