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　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查办(bà氯化钾相对原子质量是多少，n)公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此(氯化钾相对原子质量是多少，cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等(děng)主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。氯化钾相对原子质量是多少，trong>存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。