大家好，来看一(yī)则突发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美香港区号是多少光(guāng)是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAN香港区号是多少D Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(ji香港区号是多少ā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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