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乔丹有多高

乔丹有多高 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查。

  审查发(fā)现,美光公司(sī)产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患,对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险,影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ),网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法规,我国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

  此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全审查,目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全,是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放,只要(yào)遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要(yào)求,欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安全,防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险,维护(hù)国家安全,依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》,网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

  半(bàn)导体(tǐ)突(tū)发(fā)!中国出手:停(tíng)止采购(gòu)!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī),2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM (内存(cún))市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng),采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年(n乔丹有多高乔丹有多高n)年报显示,江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约,确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势,公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

  有券(quàn)商此前就(jiù)分析,如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制,或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)乔丹有多高设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来(lái)可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽,催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù),薄(báo)膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75%。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单,设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速(sù),看好拓(tuò)荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份额(é)提升,以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清(qīng)洗(xǐ))等收(shōu)入增长。

 

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