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　　美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)的运(水密码适合什么年龄，水密码适合什么年龄段的女生使用yùn)营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查水密码适合什么年龄，水密码适合什么年龄段的女生使用，目(mù)的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS M水密码适合什么年龄，水密码适合什么年龄段的女生使用arkit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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