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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产(c新字的繁体字有几画，新的繁体字是几画hǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国(guó)家安(ān)全，依(yī)据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

新字的繁体字有几画，新的繁体字是几画　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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