大(dà)家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进225是多大码的鞋子女，225是多大码的鞋子高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(225是多大码的鞋子女，225是多大码的鞋子xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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