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　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安(陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么，陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么歌ān)全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么，陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么歌2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过(guò)美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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