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　　美光公司(sī)夏洛的网主要内容50字左右，夏洛的网主要内容100字在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业(y夏洛的网主要内容50字左右，夏洛的网主要内容100字è)、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèn夏洛的网主要内容50字左右，夏洛的网主要内容100字g)美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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