大(dà)家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也(yě)与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程(chéng)加速(sù)，看鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

未经允许不得转载：太仓网站建设,太仓网络公司,太仓网站制作,太仓网页设计,网站推广-昆山云度信息科技有限公司 鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙