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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法一里地等于多少米 一里地等于多少公里》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据《中华(huá)人(rén)民(mín)共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎ一里地等于多少米 一里地等于多少公里ng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。一里地等于多少米 一里地等于多少公里rong>存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。