大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在n. v. adj. adv.是啥，英语词性分类12种及缩写(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更(gn. v. adj. adv.是啥，英语词性分类12种及缩写èng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长。

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